SI8809EDB-T2-E1

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
SI8809EDB-T2-E1
Производитель
Везерский полупроводник
Упаковка/Коробка
4-XFBGA
Технические данные
Загрузить
Описание
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
Склад
34,782
In Stock :
34,782

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
Везерский полупроводник
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
-
Особенность FET :
-
Vgs(th) (максимум) @ Id :
900mV @ 250µA
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
1.8V, 4.5V
Тип монтажа :
Surface Mount
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
1.94 (Ta)
Статус продукта :
Obsolete
Поставщик устройства и его упаковка :
4-Microfoot
Потери мощности (макс) :
500mW (Ta)
Тип FET :
P-Channel
Рабочая температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (максимум) :
±8V
Корпус :
4-XFBGA
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
20 V
Rds On (мак) @ Id Vgs :
90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
15 nC @ 8 V
Технические данные
SI8809EDB-T2-E1
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные Везерский полупроводник SI8809EDB-T2-E1, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Тип монтажа:Surface Mount, Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ), Корпус:4-XFBGA, SI8809EDB-T2-E1 распиновка, SI8809EDB-T2-E1 PDF-таблица данных, SI8809EDB-T2-E1 усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные Везерский полупроводник SI8809EDB-T2-E1 ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
SI8800EDB-T2-E1 Везерский полупроводник 29,760 MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
SI8802DB-T2-E1 Везерский полупроводник 5,885 MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
SI8805EDB-T2-E1 Везерский полупроводник 33,005 MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
SI8806DB-T2-E1 Везерский полупроводник 33,911 MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
SI8808DB-T2-E1 Везерский полупроводник 26,606 MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
SI8810EDB-T2-E1 Везерский полупроводник 3,000 MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
SI8812DB-T2-E1 Везерский полупроводник 31,287 MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
SI8816EDB-T2-E1 Везерский полупроводник 8,870 MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
SI8817DB-T2-E1 Везерский полупроводник 10 MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
SI8819EDB-T2-E1 Везерский полупроводник 36,655 MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
SI8821EDB-T2-E1 Везерский полупроводник 13,455 MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
SI88220BC-IS Везерский полупроводник 47,006 DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
SI88220BC-ISR Везерский полупроводник 10,799 DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 16SOIC
SI88220BD-IS Везерский полупроводник 26,499 DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC
SI88220BD-ISR Везерский полупроводник 46,313 DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC
Запрос предложений