MX2N5116UB

Производитель :

Технология микрочипов

Категория продукта :

Транзисторы - JFET

Рабочая температура :

-65°C ~ 200°C (TJ)

Сопротивление - RDS(On) :

175 Ohms

Напряжение отключения (VGS выкл) @ Id :

1 V @ 1 nA

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :

27pF @ 15V

Тип FET :

P-Channel

Поставщик устройства и его упаковка :

UB

Корпус :

3-SMD, No Lead

Мощность - макс :

500 mW

Напряжение стока к истоку (Vdss) :

30 V

Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) :

5 mA @ 15 V

Тип монтажа :

Surface Mount

Статус продукта :

Active

Ток стока (Id) - максимум :

-

Напряжение разрыва (V(BR)GSS) :

30 V