MX2N5116

Производитель :

Технология микрочипов

Категория продукта :

Транзисторы - JFET

Рабочая температура :

-65°C ~ 200°C (TJ)

Напряжение стока к истоку (Vdss) :

30 V

Тип монтажа :

Through Hole

Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) :

25 mA @ 15 V

Мощность - макс :

500 mW

Поставщик устройства и его упаковка :

TO-18

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :

27pF @ 15V

Напряжение разрыва (V(BR)GSS) :

30 V

Корпус :

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Напряжение отключения (VGS выкл) @ Id :

4 V @ 1 nA

Сопротивление - RDS(On) :

175 Ohms

Ток стока (Id) - максимум :

-

Тип FET :

P-Channel

Статус продукта :

Active