IRF6614TRPBF

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IRF6614TRPBF
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
DirectFET™ Isometric ST
Технические данные
Загрузить
Описание
IRF6614 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Склад
900
In Stock :
900

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Тип монтажа :
Surface Mount
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Особенность FET :
-
Rds On (мак) @ Id Vgs :
8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (максимум) @ Id :
2.25V @ 250µA
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
29 nC @ 4.5 V
Статус продукта :
Active
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
2560 pF @ 20 V
Тип FET :
N-Channel
Поставщик устройства и его упаковка :
DIRECTFET™ ST
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
4.5V, 10V
Vgs (максимум) :
±20V
Корпус :
DirectFET™ Isometric ST
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
40 V
Потери мощности (макс) :
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Технические данные
IRF6614TRPBF
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IRF6614TRPBF, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Тип монтажа:Surface Mount, Корпус:DirectFET™ Isometric ST, Рабочая температура:-40°C ~ 150°C (TJ), IRF6614TRPBF распиновка, IRF6614TRPBF PDF-таблица данных, IRF6614TRPBF усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IRF6614TRPBF ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IRF60B217 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,342 TRENCH 40<-<100V
IRF60B217 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 37,976 MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
IRF60DM206 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 22,221 MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
IRF60R217 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 2,369 MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
IRF60SC241ARMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 35,335 MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
IRF610 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 6,213 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
IRF610 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 33,510 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
IRF6100 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 34,871 MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
IRF6100PBF & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 8,282 MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
IRF610A & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 34,771 N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF610B & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,539 N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF610L & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 36,740 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
IRF610LPBF & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 44,234 MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
IRF610PBF & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 515 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
IRF610PBF-BE3 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 3,045 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Запрос предложений