IPW65R190C7

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPW65R190C7
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-247-3
Технические данные
Загрузить
Описание
IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Склад
45,903
In Stock :
45,903

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Рабочая температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (максимум) @ Id :
4V @ 290µA
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
23 nC @ 10 V
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-TO247-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
13A (Tc)
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
650 V
Особенность FET :
-
Тип FET :
N-Channel
Vgs (максимум) :
±20V
Потери мощности (макс) :
72W (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
1150 pF @ 400 V
Корпус :
TO-247-3
Rds On (мак) @ Id Vgs :
190mOhm @ 5.7A, 10V
Статус продукта :
Active
Тип монтажа :
Through Hole
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
10V
Технические данные
IPW65R190C7
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPW65R190C7, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ), Корпус:TO-247-3, Тип монтажа:Through Hole, IPW65R190C7 распиновка, IPW65R190C7 PDF-таблица данных, IPW65R190C7 усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPW65R190C7 ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPW60R017C7XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 84 HIGH POWER_NEW
IPW60R018CFD7XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 17,857 MOSFET N CH
IPW60R024CFD7XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,882 MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
IPW60R024P7XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 240 MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
IPW60R031CFD7 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 35,348 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
IPW60R031CFD7XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 33,224 MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
IPW60R037CSFDXKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 40,206 MOSFET N CH
IPW60R037P7XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,050 MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
IPW60R040C7XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 2,207 MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
IPW60R040CFD7XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 36,859 MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
IPW60R041C6 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 26,270 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET
IPW60R041C6FKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 34,154 MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
IPW60R041P6FKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,609 MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
IPW60R045CPAFKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 460 MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
IPW60R045CPFKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 5 MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Запрос предложений