IPN65R1K5CE

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPN65R1K5CE
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-261-3
Технические данные
Загрузить
Описание
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Склад
24,490
In Stock :
24,490

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Vgs (максимум) :
±20V
Rds On (мак) @ Id Vgs :
1.5Ohm @ 1A, 10V
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
650 V
Статус продукта :
Active
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус :
TO-261-3
Рабочая температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип FET :
N-Channel
Особенность FET :
-
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
10.5 nC @ 10 V
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
10V
Vgs(th) (максимум) @ Id :
3.5V @ 100µA
Потери мощности (макс) :
5W (Tc)
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-SOT223
Тип монтажа :
Surface Mount
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
5.2A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
225 pF @ 100 V
Технические данные
IPN65R1K5CE
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPN65R1K5CE, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Корпус:TO-261-3, Рабочая температура:-40°C ~ 150°C (TJ), Тип монтажа:Surface Mount, IPN65R1K5CE распиновка, IPN65R1K5CE PDF-таблица данных, IPN65R1K5CE усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPN65R1K5CE ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPN60R1K0CEATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 23,247 MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
IPN60R1K0PFD7SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 47,019 CONSUMER PG-SOT223-3
IPN60R1K5CEATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,010 MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
IPN60R1K5PFD7SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 41,619 MOSFET N-CH 650V 3.6A SOT223
IPN60R2K0PFD7SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 2,900 MOSFET N-CH 650V 3A SOT223
IPN60R2K1CE & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 45,272 N-CHANNEL POWER MOSFET
IPN60R2K1CEATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 46,930 MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
IPN60R360P7SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 35,133 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
IPN60R360PFD7SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 5,999 MOSFET N-CH 650V 10A SOT223
IPN60R3K4CEATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 36,600 MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
IPN60R600P7SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 15,925 MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
IPN60R600PFD7SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 50 CONSUMER PG-SOT223-3
IPN65R1K5CEATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 6,492 MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Запрос предложений