IPI65R150CFD

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPI65R150CFD
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Технические данные
Загрузить
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET
Склад
17,139
In Stock :
17,139

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-TO262-3-1
Корпус :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Рабочая температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (мак) @ Id Vgs :
150mOhm @ 9.3A, 10V
Особенность FET :
-
Тип монтажа :
Through Hole
Vgs(th) (максимум) @ Id :
4.5V @ 900µA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
2340 pF @ 100 V
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
86 nC @ 10 V
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
650 V
Vgs (максимум) :
±20V
Тип FET :
N-Channel
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Потери мощности (макс) :
195.3W (Tc)
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
22.4A (Tc)
Статус продукта :
Active
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
10V
Технические данные
IPI65R150CFD
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPI65R150CFD, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Корпус:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ), Тип монтажа:Through Hole, IPI65R150CFD распиновка, IPI65R150CFD PDF-таблица данных, IPI65R150CFD усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPI65R150CFD ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPI600N25N3G & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 6,402 IPI600N25 - 12V-300V N-CHANNEL P
IPI600N25N3GAKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 20,123 MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
IPI60R099CP & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 10,282 PFET, 31A I(D), 600V, 0.099OHM,
IPI60R099CPAAKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 21,402 MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
IPI60R099CPXKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 16,647 MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
IPI60R125CP & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 49,776 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
IPI60R125CPXKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 33,310 MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
IPI60R165CP & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 19,804 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
IPI60R165CPAKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,849 MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
IPI60R165CPXKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 10,043 HIGH POWER_LEGACY
IPI60R190C6 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 49,593 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
IPI60R190C6XKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 12,816 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
IPI60R199CP & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 26,379 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
IPI60R199CPXKSA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 46,886 MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3
IPI60R199CPXKSA2 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 42,491 HIGH POWER_LEGACY
Запрос предложений