IPD80R900P7ATMA1

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPD80R900P7ATMA1
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технические данные
Загрузить
Описание
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Склад
21,572
In Stock :
21,572

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Vgs (максимум) :
±20V
Особенность FET :
-
Тип FET :
N-Channel
Rds On (мак) @ Id Vgs :
900mOhm @ 2.2A, 10V
Корпус :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
15 nC @ 10 V
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-TO252-3
Потери мощности (макс) :
45W (Tc)
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
10V
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
800 V
Vgs(th) (максимум) @ Id :
3.5V @ 110µA
Статус продукта :
Active
Рабочая температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
350 pF @ 500 V
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
6A (Tc)
Тип монтажа :
Surface Mount
Технические данные
IPD80R900P7ATMA1
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPD80R900P7ATMA1, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Корпус:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ), Тип монтажа:Surface Mount, IPD80R900P7ATMA1 распиновка, IPD80R900P7ATMA1 PDF-таблица данных, IPD80R900P7ATMA1 усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPD80R900P7ATMA1 ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPD800N06NGBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,737 MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3
IPD80N04S3-06 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 16,473 OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
IPD80N04S306ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 17,677 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD80N04S306BATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 8,114 MOSFET N-CHANNEL_30/40V
IPD80N06S3-09 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 22,213 MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
IPD80P03P4L07ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 25,815 MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
IPD80P03P4L07ATMA2 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 41,946 MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
IPD80R1K0CEATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 47,770 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
IPD80R1K0CEBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,192 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
IPD80R1K2P7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 10,713 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
IPD80R1K4CEATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 3,448 MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
IPD80R1K4CEBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 40,825 MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
IPD80R1K4P7 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 40,867 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
IPD80R1K4P7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 6,846 MOSFET N-CH 800V 4A TO252
IPD80R280P7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 10,258 MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Запрос предложений