IPD65R660CFD

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPD65R660CFD
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технические данные
Загрузить
Описание
IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO
Склад
827
In Stock :
827

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Потери мощности (макс) :
62.5W (Tc)
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-TO252-3-313
Rds On (мак) @ Id Vgs :
660mOhm @ 2.1A, 10V
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
650 V
Vgs (максимум) :
±20V
Тип FET :
N-Channel
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
10V
Особенность FET :
-
Рабочая температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Корпус :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Статус продукта :
Active
Vgs(th) (максимум) @ Id :
4.5V @ 200µA
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
6A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
615 pF @ 100 V
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
22 nC @ 10 V
Технические данные
IPD65R660CFD
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPD65R660CFD, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ), Тип монтажа:Surface Mount, Корпус:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, IPD65R660CFD распиновка, IPD65R660CFD PDF-таблица данных, IPD65R660CFD усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPD65R660CFD ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPD600N25N3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 25,957 MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPD600N25N3GBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 1,573 MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPD60N10S412ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 5,000 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
IPD60N10S4L12ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 10,533 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
IPD60R145CFD7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,969 MOSFET N CH
IPD60R170CFD7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 1,022 MOSFET N-CH 650V 14A TO252-3
IPD60R180C7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 41,411 MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
IPD60R180P7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 1,298 MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 2,623 MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
IPD60R180P7SE8228AUMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 8,587 MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
IPD60R1K0CEATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 30,869 MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
IPD60R1K0CEAUMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,928 CONSUMER
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 2,490 CONSUMER PG-TO252-3
IPD60R1K4C6 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 41,562 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPD60R1K4C6ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 48,137 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Запрос предложений