IPD09N03LA G

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPD09N03LA G
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технические данные
Загрузить
Описание
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Склад
7,087
In Stock :
7,087

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Тип FET :
N-Channel
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
13 nC @ 5 V
Статус продукта :
Obsolete
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
25 V
Rds On (мак) @ Id Vgs :
8.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (максимум) @ Id :
2V @ 20µA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
1642 pF @ 15 V
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
4.5V, 10V
Рабочая температура :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Особенность FET :
-
Vgs (максимум) :
±20V
Корпус :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-TO252-3-11
Потери мощности (макс) :
63W (Tc)
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
50A (Tc)
Тип монтажа :
Surface Mount
Технические данные
IPD09N03LA G
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPD09N03LA G, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ), Корпус:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Тип монтажа:Surface Mount, IPD09N03LA G распиновка, IPD09N03LA G PDF-таблица данных, IPD09N03LA G усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPD09N03LA G ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPD025N06NATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,456 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD031N03LGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,500 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N03LGBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 24,154 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N03M G & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 5,169 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N06L3G & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 0 -
IPD031N06L3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 545 MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD033N06NATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 45,574 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD034N06N3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 23,447 MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD035N06L3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 10,183 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD036N04LGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 22,061 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
IPD036N04LGBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 36,278 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD038N04NGBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 19,873 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD038N06N & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 7,027 -
IPD038N06N3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 35,722 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD039N08NF2SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 7,451 TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3
Запрос предложений