IPD06N03LAG

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPD06N03LAG
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технические данные
Загрузить
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET
Склад
25,758
In Stock :
25,758

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Корпус :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
50A (Tc)
Rds On (мак) @ Id Vgs :
5.7mOhm @ 30A, 10V
Особенность FET :
-
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
4.5V, 10V
Vgs (максимум) :
±20V
Тип монтажа :
Surface Mount
Vgs(th) (максимум) @ Id :
2V @ 40µA
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-TO252-3-11
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Потери мощности (макс) :
83W (Tc)
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
22 nC @ 5 V
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
2653 pF @ 15 V
Тип FET :
N-Channel
Статус продукта :
Active
Технические данные
IPD06N03LAG
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPD06N03LAG, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Корпус:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Тип монтажа:Surface Mount, Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ), IPD06N03LAG распиновка, IPD06N03LAG PDF-таблица данных, IPD06N03LAG усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPD06N03LAG ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPD025N06NATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,456 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD031N03LGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,500 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N03LGBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 24,154 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N03M G & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 5,169 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD031N06L3G & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 0 -
IPD031N06L3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 545 MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD033N06NATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 45,574 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD034N06N3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 23,447 MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD035N06L3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 10,183 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD036N04LGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 22,061 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
IPD036N04LGBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 36,278 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD038N04NGBTMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 19,873 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD038N06N & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 7,027 -
IPD038N06N3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 35,722 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD039N08NF2SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 7,451 TRENCH 40<-<100V PG-TO252-3
Запрос предложений