IPB65R110CFDATMA2

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPB65R110CFDATMA2
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технические данные
Загрузить
Описание
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Склад
5,995
In Stock :
5,995

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
3240 pF @ 100 V
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-TO263-3
Статус продукта :
Active
Vgs(th) (максимум) @ Id :
4.5V @ 1.3mA
Тип монтажа :
Surface Mount
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
31.2A (Tc)
Корпус :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (мак) @ Id Vgs :
110mOhm @ 12.7A, 10V
Особенность FET :
-
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
10V
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
118 nC @ 10 V
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
650 V
Vgs (максимум) :
±20V
Рабочая температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип FET :
N-Channel
Потери мощности (макс) :
277.8W (Tc)
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Технические данные
IPB65R110CFDATMA2
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPB65R110CFDATMA2, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Тип монтажа:Surface Mount, Корпус:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ), IPB65R110CFDATMA2 распиновка, IPB65R110CFDATMA2 PDF-таблица данных, IPB65R110CFDATMA2 усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPB65R110CFDATMA2 ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPB600N25N3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 34,610 MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
IPB60R040C7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 11 MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
IPB60R040CFD7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 203 MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2
IPB60R045P7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 6,056 MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
IPB60R055CFD7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 12,417 MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2
IPB60R060C7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 15,204 MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
IPB60R060P7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 39,658 MOSFET N-CH 650V 48A D2PAK
IPB60R070CFD7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 45,196 MOSFET N-CH 650V 31A TO263-3-2
IPB60R080P7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 2,391 MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK
IPB60R090CFD7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 1,000 MOSFET N-CH 650V 25A TO263-3-2
IPB60R099C6ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 18,528 MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
IPB60R099C7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 33,655 MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
IPB60R099CPAATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 22,000 MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPB60R099CPATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,500 MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPB60R099P7ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 15,676 MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK
Запрос предложений