IPB65R110CFDA

Производитель :

& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;

Категория продукта :

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Окно терминала :

GULL WING

Серия :

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

Опубликовано :

2008

Рабочая температура :

-40°C~150°C TJ

Непрерывный ток стока (ID) :

31.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

110m Ω @ 12.7A, 10V

Сетевой заряд (Qg) (максимальный) @ Vgs :

118nC @ 10V

Количество выводов :

4

Номинальная энергия лавины (Eas) :

845 mJ

Без галогенов :

Halogen Free

Восхождение :

Surface Mount

Позиция зажима :

SINGLE

Режим работы :

ENHANCEMENT MODE

VGS (Максимальное значение) :

±20V

Максимальное значение тока импульсного стока (IDM) :

99.6A

Цикл поставки завода :

18 Weeks

Количество терминалов :

2

Радиационное затвердевание :

No

Тип FET :

N-Channel

Упаковка / ящик :

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Применение транзисторов :

SWITCHING

Тип установки :

Surface Mount

Время подъема :

11ns

Время задержки закрытия :

68 ns

Напряжение привода (максимальное включение Rds, минимальное включение Rds) :

10V

Код JESD - 30 :

R-PSSO-G2

Состояние RoHS :

ROHS3 Compliant

Сетка - напряжение источника (Vgs) :

20V

Материалы на транзисторных элементах :

SILICON

Дополнительные функции :

HIGH RELIABILITY

Чувствительность к влажности (MSL) :

1 (Unlimited)

Vgs (th) (Максимальное значение) @ Id :

4.5V @ 1.3mA

Максимальное энергопотребление :

277.8W Tc

Количество элементов :

1

Соединение оболочки :

DRAIN

Непрерывное осушение при токе - 25°C (id) :

31.2A Tc

Конечная плоскость завершения :

Tin (Sn)

Входная емкость под Vds (Ciss) (Max) :

3240pF @ 100V

Осеннее время (типично) :

6 ns

Задержка загрузки :

16 ns

Настройка :

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Код без свинца :

no

Максимальное напряжение двойного питания :

650V

Состояние компонентов :

Active

Код JESD - 609 :

e3

Упаковочные материалы :

Tape & Reel (TR)

Без свинца :

Contains Lead