IPB034N06N3GATMA1

Share

Or copy the link below:

Производитель № детали
IPB034N06N3GATMA1
Производитель
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Упаковка/Коробка
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Технические данные
Загрузить
Описание
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Склад
36,001
In Stock :
36,001

Запросить цену(RFQ)

* Полное имя:
* Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
* Количество:
Производитель :
& quot; Инфайнен текнолоджиз & quot;
Категория продукта :
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :
100A (Tc)
Особенность FET :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Потери мощности (макс) :
167W (Tc)
Тип FET :
N-Channel
Корпус :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :
10V
Vgs (максимум) :
±20V
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :
11000 pF @ 30 V
Рабочая температура :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик устройства и его упаковка :
PG-TO263-7
Rds On (мак) @ Id Vgs :
3.4mOhm @ 100A, 10V
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Заряд ворот (макс) @ Vgs :
130 nC @ 10 V
Напряжение стока к истоку (Vdss) :
60 V
Vgs(th) (максимум) @ Id :
4V @ 93µA
Статус продукта :
Obsolete
Технические данные
IPB034N06N3GATMA1
VESS Electronics предлагает Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPB034N06N3GATMA1, где превосходное качество сочетается с экономической эффективностью. Это первоклассное предложение отличается обширным списком функций, в том числе Тип монтажа:Surface Mount, Корпус:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ), IPB034N06N3GATMA1 распиновка, IPB034N06N3GATMA1 PDF-таблица данных, IPB034N06N3GATMA1 усилитель .За гранью Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; IPB034N06N3GATMA1 ,также представляем подборку EPC2019, EPC2053, EPC2015C, Наш обширный склад готов удовлетворить ваши требования. Свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить индивидуальные решения.

Купить

Вы можете разместить заказ без регистрации на VESS Electronics. Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в любое время.

Запрос цен (запрос цен)

Рекомендуется отправить запрос предложения, чтобы получить последние цены и наличие на складе детали. Наш отдел продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, например: PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

Вы можете разместить заказ без регистрации 1. Вскоре вы получите подтверждение заказа по электронной почте. (Пожалуйста, не забудьте проверить папку «Спам», если вы не получили от нас известия). 2. Поскольку наличие на складе и цены могут измениться в любое время, отдел продаж подтвердит детали заказа и сообщит вам об этом в ближайшее время.

Способ доставки

Большинство наших товаров доставляются через FEDEX, DHL, UPS и SF EXPRESS...

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторые страны она превышает 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. д.). Если у клиента есть учетная запись доставки, мы можем осуществить доставку в соответствии с доставкой клиента. счет с фрахтом напрямую.

Базовая стоимость перевозки (для упаковки ≤0,5 кг) зависит от часовых поясов и стран

Время доставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки. Вы можете отслеживать его по номеру отслеживания.

Продукция, связанная с производителем

Продукция, связанная с каталогом

  • ЭПК
    GANFET NCH 15V 3.4A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 500MA DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
  • ЭПК
    GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IPB009N03LGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 41,168 MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
IPB010N06NATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 28,160 MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
IPB011N04LG & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 0 -
IPB011N04LGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 32 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB011N04NGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 4,287 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB014N06NATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 12,263 MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
IPB015N04LGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 37,687 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IPB015N04NGATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 33,697 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IPB015N08N5 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 9,090 -
IPB015N08N5ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 12,500 MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
IPB016N06L3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 43,196 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB016N08NF2SATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 1,972 TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
IPB017N06N3GATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 39,343 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB017N08N5ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 23,380 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPB017N10N5ATMA1 & quot; Инфайнен текнолоджиз & quot; 1,426 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Запрос предложений