G2012

Производитель :

Полупроводники Goford

Категория продукта :

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Vgs(th) (максимум) @ Id :

1V @ 250µA

Технология :

MOSFET (Metal Oxide)

Поставщик устройства и его упаковка :

6-DFN (2x2)

Заряд ворот (макс) @ Vgs :

29 nC @ 10 V

Напряжение стока к истоку (Vdss) :

20 V

Статус продукта :

Active

Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :

2.5V, 4.5V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :

12A (Tc)

Rds On (мак) @ Id Vgs :

12mOhm @ 5A, 4.5V

Корпус :

6-WDFN Exposed Pad

Рабочая температура :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :

1255 pF @ 10 V

Vgs (максимум) :

±10V

Потери мощности (макс) :

1.5W (Tc)

Тип FET :

N-Channel

Тип монтажа :

Surface Mount

Особенность FET :

-