FDB8445

Производитель :

Полупроводники

Категория продукта :

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Технология :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs(th) (максимум) @ Id :

4V @ 250µA

Заряд ворот (макс) @ Vgs :

62 nC @ 10 V

Тип монтажа :

Surface Mount

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :

3805 pF @ 25 V

Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :

10V

Статус продукта :

Last Time Buy

Потери мощности (макс) :

92W (Tc)

Корпус :

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Rds On (мак) @ Id Vgs :

9mOhm @ 70A, 10V

Напряжение стока к истоку (Vdss) :

40 V

Поставщик устройства и его упаковка :

D²PAK (TO-263)

Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :

70A (Tc)

Рабочая температура :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип FET :

N-Channel

Особенность FET :

-

Vgs (максимум) :

±20V