FDB035N10A

Производитель :

Полупроводники

Категория продукта :

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Напряжение привода (максимальное сопротивление включенного устройства, минимальное сопротивление включенного устройства) :

10V

Технология :

MOSFET (Metal Oxide)

Тип FET :

N-Channel

Корпус :

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (максимум) @ Id :

4V @ 250µA

Vgs (максимум) :

±20V

Поставщик устройства и его упаковка :

D²PAK (TO-263)

Напряжение стока к истоку (Vdss) :

100 V

Статус продукта :

Active

Рабочая температура :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C :

120A (Tc)

Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) @ Vds :

7295 pF @ 25 V

Особенность FET :

-

Потери мощности (макс) :

333W (Tc)

Тип монтажа :

Surface Mount

Заряд ворот (макс) @ Vgs :

116 nC @ 10 V

Rds On (мак) @ Id Vgs :

3.5mOhm @ 75A, 10V