Транзистор BC857: распиновка, таблица данных, эквиваленты

PNP 150°C TJ 15nA ICBO 1 элемент 3 клеммы SILICON PNP TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Лента и катушка (TR) Для поверхностного монтажа

BC857 — эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP. В этой статье вы узнаете о его распиновке, техническом описании, эквивалентах, использовании и более подробной информации о BC857.

Каталог

Обзор BC857

Распиновка BC857

BC857 CAD-модель

BC857 Эквивалент

Дополнительные NPN-транзисторы BC857

BC857 Принцип работы

Пакет BC857

Технические характеристики

Техническое описание в формате PDF

Обзор BC857

BC857 представляет собой крошечный пластиковый корпус устройства поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB), содержащий PNP-транзистор общего назначения, коэффициент усиления которого находится в диапазоне от 125 до 800, который контролирует мощность усиления транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы с максимальным током (IB) 200 мА и напряжением на выводе база-эмиттер 5 В. Когда этот транзистор полностью смещен, ток может течь между коллектором и эмиттером. BC857 поставляется в пластиковой упаковке SOT-23. BC857 подходит для коммутации и усиления общего назначения.

Распиновка BC857

Распиновка BC857

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1.	База	Управляет смещением транзистора. Используется для включения или выключения транзистора.
2.	Эмиттер	Ток стекает через эмиттер, обычно подключенный к земле.
3.	Коллектор	Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке.

BC857 CAD-модель

Символ BC857

След BC857

BC857 3D модель

BC857 Эквивалент

Эквиваленты для BC857

·BC856

·BC860

·ФММТА55

·ПМБТА56

·ПМБТА92

Дополнительные NPN-транзисторы BC857

Комплементарный NPN-транзистор BC857: BC847.

BC857 Принцип работы

Основная концепция работы PNP- транзистора заключается в том, что, пока на базе PNP-транзистора имеется ток, транзистор остается выключенным. Когда через базу транзистора не протекает ток, транзистор включается.

Как использовать BC857

Основное различие между NPN- и PNP-транзисторами заключается в том, что ток попадает в PNP-транзистор и течет от эмиттера к коллектору. Для включения PNP-транзистора напряжение базы должно быть меньше напряжения эмиттера. Это связано с тем, что базовый вывод изготовлен из полупроводника n-типа , а эмиттер — из полупроводника p-типа. Подключения можно выполнить, используя принципиальную схему, показанную выше.

Пакет BC857

Пакет BC857

Технические характеристики

Технические характеристики, атрибуты, параметры и детали STMicroelectronics BC857B, аналогичные спецификациям STMicroelectronics BC857B.

Тип	Параметр
Устанавливать	Поверхностный монтаж	Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/кейс	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	Количество контактов	3
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ	Рабочая Температура	150°С ТДж
Упаковка	Лента и катушка (TR)	Код JESD-609	е0
Статус детали	Устаревший	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без ограничений)
Количество окончаний	3	ECCN-код	EAR99
Терминал отделки	Олово/Свинец (Sn/Pb)	Код HTS	8541.21.00.95
Подкатегория	Другие транзисторы	Напряжение — номинальный постоянный ток	-50В
Максимальная рассеиваемая мощность	250 мВт	Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Терминальная форма	КРЫЛО ЧАЙКИ	Текущий рейтинг	-100 мА
Базовый номер детали	BC857	Количество элементов	1
Конфигурация элемента	Одинокий	Мощность - Макс.	250 мВт
Применение транзистора	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	Продукт увеличения пропускной способности	100 МГц
Полярность/Тип канала	ПНП	Тип транзистора	ПНП
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)	45В	Макс. ток коллектора	100 мА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	220 при 2 мА 5 В	Ток-отсечка коллектора (макс.)	15нА ИКБО
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	650 мВ при 5 мА, 100 мА	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	45В
Частота перехода	100 МГц	Максимальное напряжение пробоя	45В
Базовое напряжение коллектора (VCBO)	50В	Базовое напряжение эмиттера (VEBO)	5В
hFE Мин.	220	Радиационная закалка	Нет
Статус RoHS	Не соответствует требованиям RoHS	Без свинца	Содержит свинец